超高频感应加热电源在金属零件表面热处理、半导体材料加工、光纤生产、焊接技术、等离子体发生等方面有着广泛的应用。目前，电子管振荡器是此类电源的主要产品，但是该产品存在启动慢、效率低、寿命短的问题，因此采用功率半导体器件研制固态超高频感应加热电源已经成为发展趋势。到目前为止，国内外在该领域已经取得一系列研究成果。
国外学者采用E类放大电路和硅基MOSFET实现3.3MHz/500W和7MHz/150W的小功率超高频感应加热电源；国外学者采用电压源串联型拓扑、不同形式的负载和不同封装的硅基MOSFET实现2MHz/2kW、2MHz/6kW的超高频感应加热电源，半桥逆变拓扑和硅基MOSFET实现1.5MHz/7kW的超高频感应加热电源，电源功率得以提升，但是工作频率降低、工艺复杂程度有所增加。
