半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器，它是由两种不同带隙的半导体材料薄层，如GaAs,GaAlAs所组成，最先出现的是单异质结构激光器（1969年）.单异质结注人型激光器是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP一N结的P区之内，以此来降低阀值电流密度，其数值比同质结激光器降低了一个数量级，但单异质结激光器仍不能在室温下连续工作。
光纤激光器温度过高，有两种情况，首先，光纤激光器没有配备冷水，需要配备合适的冷水机进行冷却，二是配置的冷水机的制冷量不足以实现有效制冷，建议更换符合激光器冷却要求的冷水机，在激光器中，超短脉冲激光器的产生很重要。 因为可以通过控制激光器的相干光波来产生脉冲光，其时间宽度超出了电子设备的控制范围，可调谐激光器是一种光子终止激光器，其能级在激光器的作用下处于振动激发态，从而拓宽了振荡频带。
激光器是产生激光的装置，一般由三个部分组成：工作物质这是激光器的核心，只有能实现能级跃迁的物质才能作为激光器的工作物质，目前，激光工作物质已有数千种，激光波长已由x光远至红外光，例如氦氖激光器中，通过氦原子的协助，使氖原子的两个能级实现粒子数反转；除此之外,全固体绿光激光器还在光存储、信息处理、激光光谱与全息、相干通讯、激光娱乐、激光雷达、干涉测量、光学数据存储、军事工业等领域也有着广泛的应用。
