半导体激光器体积非常小，最小的只有米粒那样大。工作波长依赖于激光材料，一般为0.6～1.55微米，由于多种应用的需要，更短波长的器件在发展中。据报导，以Ⅱ～Ⅳ价元素的化合物，如ZnSe为工作物质的激光器，低温下已得到0.46微米的输出，而波长0.50～0.51微米的室温连续器件输出功率已达10毫瓦以上。但迄今尚未实现商品化。
半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器，它是由两种不同带隙的半导体材料薄层，如GaAs,GaAlAs所组成，最先出现的是单异质结构激光器（1969年）.单异质结注人型激光器（SHLD）是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP一N结的P区之内，以此来降低阀值电流密度，其数值比同质结激光器降低了一个数量级，但单异质结激光器仍不能在室温下连续工作。
激光器均选用高品质的原装、进口激光二极管，配以高性能的APC、ACC驱动电路和光学镀膜玻璃透镜组或优质塑透镜胶组成，具有高可靠性、高稳定性、抗干扰性强、一致性好、使用寿命长等特点。 产品广泛应用于各种工业标识器、工业用激光模组、军用器械及仪器装备、教学试验光源、激光医疗仪器、舞台灯光及演示用激光光源、激光定位器等。
