半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器，它是由两种不同带隙的半导体材料薄层，如GaAs,GaAlAs所组成，最先出现的是单异质结构激光器（1969年）.单异质结注人型激光器（SHLD）是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP一N结的P区之内，以此来降低阀值电流密度，其数值比同质结激光器降低了一个数量级，但单异质结激光器仍不能在室温下连续工作。
光纤激光器通过选择发射波长和掺杂稀土元素吸收特性相匹配的半导体激光器为泵浦源，可以实现很高的光一光转化效率。对于掺镱的高功率光纤激光器，一般选择915纳米或975纳米的半导体激光器，荧光寿命较长，能够有效储存能量以实现高功率运作。商业化光纤激光器的总体电光效率高达25%，有利于降低成本，节能环保。
激光器均选用高品质的原装、进口激光二极管，配以高性能的APC、ACC驱动电路和光学镀膜玻璃透镜组或优质塑透镜胶组成，具有高可靠性、高稳定性、抗干扰性强、一致性好、使用寿命长等特点。 产品广泛应用于各种工业标识器、工业用激光模组、军用器械及仪器装备、教学试验光源、激光医疗仪器、舞台灯光及演示用激光光源、激光定位器等。
