半导体激光器是相干辐射源，要使其产生激光，增益条件：激光介质（有源区）中载流子的反转分布成立，在半导体中，代表电子能量的能带是由一系列接近连续的能级组成的，对于F-p腔（法布里-珀罗腔）半导体激光器，利用晶体的自然解理面垂直于p-n结面可以很容易地形成F-p腔。
半导体激光器是依靠注入载流子工作的，发射激光必须具备三个基本条件： （1）要产生足够的 粒子数反转分布，即高能态粒子数足够的大于处于低能态的粒子数； （2）有一个合适的谐振腔能够起到反馈作用，使受激辐射光子增生，从而产生激光震荡； （3）要满足一定的阀值条件，以使光子增益等于或大于光子的损耗。
半导体激光器的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地减少1%左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。
