从激光波段的扩展来看，首先是红外半导体激光器，其次是670nm红色半导体激光器，随后，随着650nm和635nm波长的问世，蓝绿、蓝光半导体激光器也相继研发成功，10mW量级的紫色甚至紫外半导体激光器也在开发中，980nm、850nm和780nm器件已经在光学系统中实用化，目前，垂直腔面发射激光器已用于千兆以太网的高速网络，激光器由于其波长范围宽、制作简单、成本低、易于批量生产，并且由于其体积小、重量轻、寿命长等优点，在品种和应用方面发展迅速。
半导体激光器封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而半导体激光器封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于半导体激光器。
半导体激光器的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地减少1%左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。
