从激光波段的扩展来看，首先是红外半导体激光器，其次是670nm红色半导体激光器，随后，随着650nm和635nm波长的问世，蓝绿、蓝光半导体激光器也相继研发成功，10mW量级的紫色甚至紫外半导体激光器也在开发中，980nm、850nm和780nm器件已经在光学系统中实用化，目前，垂直腔面发射激光器已用于千兆以太网的高速网络，激光器由于其波长范围宽、制作简单、成本低、易于批量生产，并且由于其体积小、重量轻、寿命长等优点，在品种和应用方面发展迅速。
半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。
半导体激光器的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地减少1%左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。
