从激光波段的扩展来看,首先是红外半导体激光器,其次是670nm红色半导体激光器,随后,随着650nm和635nm波长的问世,蓝绿、蓝光半导体激光器也相继研发成功,10mW量级的紫色甚至紫外半导体激光器也在开发中,980nm、850nm和780nm器件已经在光学系统中实用化,目前,垂直腔面发射激光器已用于千兆以太网的高速网络,激光器由于其波长范围宽、制作简单、成本低、易于批量生产,并且由于其体积小、重量轻、寿命长等优点,在品种和应用方面发展迅速。
半导体二极管激光器是最实用最重要的一类激光器。它体积小、寿命长,并可采用简单的注入电流的方式来泵浦,其工作电压和电流与集成电路兼容,因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点,半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面得到了广泛的应用。
半导体激光器的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃,光谱宽度随之增加,影响颜色鲜艳度。另外,当正向电流流经pn结,发热性损耗使结区产生温升,在室温附近,温度每升高1℃,半导体激光器的发光强度会相应地减少1%左右,封装散热;时保持色纯度与发光强度非常重要,以往多采用减少其驱动电流的办法,降低结温,多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。