半导体激光器是相干辐射源,要使其产生激光,增益条件:激光介质(有源区)中载流子的反转分布成立,在半导体中,代表电子能量的能带是由一系列接近连续的能级组成的,对于F-p腔(法布里-珀罗腔)半导体激光器,利用晶体的自然解理面垂直于p-n结面可以很容易地形成F-p腔。
半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。.其工作原理是通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。
半导体激光器的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃,光谱宽度随之增加,影响颜色鲜艳度。另外,当正向电流流经pn结,发热性损耗使结区产生温升,在室温附近,温度每升高1℃,半导体激光器的发光强度会相应地减少1%左右,封装散热;时保持色纯度与发光强度非常重要,以往多采用减少其驱动电流的办法,降低结温,多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。