从激光波段的扩展来看，首先是红外半导体激光器，其次是670nm红色半导体激光器，随后，随着650nm和635nm波长的问世，蓝绿、蓝光半导体激光器也相继研发成功，10mW量级的紫色甚至紫外半导体激光器也在开发中，980nm、850nm和780nm器件已经在光学系统中实用化，目前，垂直腔面发射激光器已用于千兆以太网的高速网络，激光器由于其波长范围宽、制作简单、成本低、易于批量生产，并且由于其体积小、重量轻、寿命长等优点，在品种和应用方面发展迅速。
半导体激光在1962年被成功激发，在1970年实现室温下连续输出。后来经过改良，开发出双异质接合型激光及条纹型构造的激光二极管（Laser diode）等，广泛使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器（激光笔），是目前生产量最大的激光器。
半导体激光器的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地减少1%左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。
