半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器，它是由两种不同带隙的半导体材料薄层，如GaAs,GaAlAs所组成，最先出现的是单异质结构激光器（1969年）.单异质结注人型激光器（SHLD）是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP一N结的P区之内，以此来降低阀值电流密度，其数值比同质结激光器降低了一个数量级，但单异质结激光器仍不能在室温下连续工作。
光纤激光器是采用细长的掺杂稀土元素光纤作为激光增益介质的，其表面积和体积比非常大。约为固体块状激光器的1000倍，在散热能力方面具有天然优势。中低功率情况下无需对光纤进行特殊冷却，高功率情况下采用水冷散热，也可以有效避免固体激光器中常见的由于热效应引起的光束质量下降及效率下降。
激光器均选用高品质的原装、进口激光二极管，配以高性能的APC、ACC驱动电路和光学镀膜玻璃透镜组或优质塑透镜胶组成，具有高可靠性、高稳定性、抗干扰性强、一致性好、使用寿命长等特点。 产品广泛应用于各种工业标识器、工业用激光模组、军用器械及仪器装备、教学试验光源、激光医疗仪器、舞台灯光及演示用激光光源、激光定位器等。
