蚀刻是从材料表面去除材料的过程，蚀刻的两种主要类型是湿蚀刻和干蚀刻（例如，等离子体蚀刻），涉及使用液体化学药品或蚀刻剂去除基板材料的蚀刻工艺称为湿蚀刻，通常所指金属蚀刻加工也被称为化学蚀刻加工，通过制版，经过曝光（紫外线图像转移）到金属上面，将图案显影后，将要蚀刻的保护层去掉，在蚀刻过程中接触化学药水，让两面的图案通过化学腐蚀研磨的作用，形成凹凸和镂空成形的效果，金属蚀刻加工具有很强的针对性的工艺。
在一些蚀刻情况下，蚀刻会削弱掩模层，并产生形成空腔的倾斜侧壁，底切的距离称为偏差，湿蚀刻剂通常是各向同性的，并且它们在厚膜蚀刻期间导致较大的偏差，它们还需要处理大量有毒废物，这种蚀刻方法在“后端”处理(BEOL)之前特别有效，在该处理中，晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄，并且对热或机械类型的应力非常敏感，晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；zui常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。
现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中，各向同性蚀刻，即在所有方向上均相等的蚀刻，是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式，如果允许蚀刻剂反应足够长的时间，如图1所示，蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料，可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂，然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况，加工出来的产品没有毛刺，没有脏污，表面更是光滑，蚀刻加工是其他机械的工艺都无法加工的高精密产品。
