在等离子体蚀刻工艺中，也称为干蚀刻，使用等离子体或蚀刻气体来去除衬底材料，干蚀刻会产生气态产物，这些产物应扩散到大量气体中并通过真空系统排出，干蚀刻有三种类型（例如等离子蚀刻）：化学反应（通过使用反应性等离子体或气体），物理去除（通常通过动量传递）以及化学反应和物理去除的组合，干蚀刻：利用不易被物理、化学作用破坏的物质光阻来阻挡不欲去除的部分，利用电浆的离子轰击效应和化学反应去掉想去除的部分，从而将所需要的线路图形留在玻璃基板上。
蚀刻也可以称为制作空腔，这些空腔应该根据用途具有特定的深度，产生的这种空腔的深度可以通过蚀刻时间和蚀刻速率来控制，执行蚀刻机制的成功之处在于，多层结构的顶层应该被完全去除，而在底层或掩模层中没有任何种类的损伤，这完全取决于两种材料的蚀刻速率之比，称为选择性，蚀刻加工的优点主要体现在以下几点：蚀刻加工完的产品无毛刺，生产效率也高，大批量，密集的小孔同样可以稳定的批量生产；精密度可以越来越高，zui高管控的精度是可以达到+/-0。
现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中，各向同性蚀刻，即在所有方向上均相等的蚀刻，是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式，如果允许蚀刻剂反应足够长的时间，如图1所示，蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料，可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂，然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况，加工出来的产品没有毛刺，没有脏污，表面更是光滑，蚀刻加工是其他机械的工艺都无法加工的高精密产品。
