蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤，术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层，这是一个非常重要的过程，每个晶片都要经历许多蚀刻过程，用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模材料，其用于许多蚀刻步骤中以抵抗蚀刻，该掩模材料可以是光致抗蚀剂，并且使用光刻法将其图案化，蚀刻加工是现在常用的加工方式，主要应用在金属蚀刻、蚀刻标牌、蚀刻五金以及PCB电路板上，蚀刻加工相比于传统的冲压、激光雕刻等方式，更加灵活，也更方便。
在一些蚀刻情况下，蚀刻会削弱掩模层，并产生形成空腔的倾斜侧壁，底切的距离称为偏差，湿蚀刻剂通常是各向同性的，并且它们在厚膜蚀刻期间导致较大的偏差，它们还需要处理大量有毒废物，这种蚀刻方法在“后端”处理(BEOL)之前特别有效，在该处理中，晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄，并且对热或机械类型的应力非常敏感，晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；zui常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。
现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中，各向同性蚀刻，即在所有方向上均相等的蚀刻，是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式，如果允许蚀刻剂反应足够长的时间，如图1所示，蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料，可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂，然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况，加工出来的产品没有毛刺，没有脏污，表面更是光滑，蚀刻加工是其他机械的工艺都无法加工的高精密产品。
