在等离子体蚀刻工艺中，也称为干蚀刻，使用等离子体或蚀刻气体来去除衬底材料，干蚀刻会产生气态产物，这些产物应扩散到大量气体中并通过真空系统排出，干蚀刻有三种类型（例如等离子蚀刻）：化学反应（通过使用反应性等离子体或气体），物理去除（通常通过动量传递）以及化学反应和物理去除的组合，干蚀刻：利用不易被物理、化学作用破坏的物质光阻来阻挡不欲去除的部分，利用电浆的离子轰击效应和化学反应去掉想去除的部分，从而将所需要的线路图形留在玻璃基板上。
蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤，术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层，这是一个非常重要的过程，每个晶片都要经历许多蚀刻过程，用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模材料，其用于许多蚀刻步骤中以抵抗蚀刻，该掩模材料可以是光致抗蚀剂，并且使用光刻法将其图案化，蚀刻加工是现在常用的加工方式，主要应用在金属蚀刻、蚀刻标牌、蚀刻五金以及PCB电路板上，蚀刻加工相比于传统的冲压、激光雕刻等方式，更加灵活，也更方便。
现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中，各向同性蚀刻，即在所有方向上均相等的蚀刻，是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式，如果允许蚀刻剂反应足够长的时间，如图1所示，蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料，可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂，然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况，加工出来的产品没有毛刺，没有脏污，表面更是光滑，蚀刻加工是其他机械的工艺都无法加工的高精密产品。
