另一方面，湿蚀刻仅是化学过程，干蚀刻等向性蚀刻与异向性蚀刻同时存在，湿蚀刻：利用化学药液将需要蚀刻掉的物质蚀刻掉，湿蚀刻为等向性蚀刻，湿蚀刻机台便宜，蚀刻速度快，但难以jing确控制线宽和获得极其精细的图形并且需要大量用水，污染大；干蚀刻机台价格昂贵，蚀刻速度速度慢，但可以jing确控制线宽能获得极其精细的图形，而且不需要用水，污染小，蚀刻工艺是一项工业应用，涉及到我们生活中的全方面应用，在工业制造中是不可缺少的中间工艺，其应用领域紧密的以我们生活中的“吃、穿、住、行”为主要应用，无论是行业应用，或者是生活生产，蚀刻工艺是不可取代，且不可缺失的。
在一些蚀刻情况下，蚀刻会削弱掩模层，并产生形成空腔的倾斜侧壁，底切的距离称为偏差，湿蚀刻剂通常是各向同性的，并且它们在厚膜蚀刻期间导致较大的偏差，它们还需要处理大量有毒废物，这种蚀刻方法在“后端”处理(BEOL)之前特别有效，在该处理中，晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄，并且对热或机械类型的应力非常敏感，晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；zui常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。
现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中，各向同性蚀刻，即在所有方向上均相等的蚀刻，是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式，如果允许蚀刻剂反应足够长的时间，如图1所示，蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料，可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂，然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况，加工出来的产品没有毛刺，没有脏污，表面更是光滑，蚀刻加工是其他机械的工艺都无法加工的高精密产品。
