蚀刻是从材料表面去除材料的过程，蚀刻的两种主要类型是湿蚀刻和干蚀刻（例如，等离子体蚀刻），涉及使用液体化学药品或蚀刻剂去除基板材料的蚀刻工艺称为湿蚀刻，通常所指金属蚀刻加工也被称为化学蚀刻加工，通过制版，经过曝光（紫外线图像转移）到金属上面，将图案显影后，将要蚀刻的保护层去掉，在蚀刻过程中接触化学药水，让两面的图案通过化学腐蚀研磨的作用，形成凹凸和镂空成形的效果，金属蚀刻加工具有很强的针对性的工艺。
缺点包括许多化学废物，其中许多是高酸性和多步过程，在蚀刻之前，需要掩盖衬底的区域以获得器件所需的详细功能，在称为光刻的过程中，将光敏光刻胶旋涂到晶圆上，然后将晶片预烘烤以除去光刻胶中多余的溶剂，然后将具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蚀剂的顶部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蚀剂，当将腐蚀剂（一种腐蚀性化学品）施加到被掩膜的晶圆上时，在所有方向上未被掩膜覆盖的区域中，蚀刻会以相同的速率发生，从而产生倒圆的边缘。
现在可以对涂覆的晶片进行湿法蚀刻以将所需的图案雕刻到晶片中，各向同性蚀刻，即在所有方向上均相等的蚀刻，是指基材的方向不影响蚀刻剂去除材料的方式，如果允许蚀刻剂反应足够长的时间，如图1所示，蚀刻剂将蚀刻掉称为掩模底切的掩模下的基板材料，可以通过在底切掩模前先冲洗掉蚀刻剂，然后在通道上施加光刻胶来避免这种情况，加工出来的产品没有毛刺，没有脏污，表面更是光滑，蚀刻加工是其他机械的工艺都无法加工的高精密产品。
